闩锁效应是什么?
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时。
1、闩锁效应原理
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成 正反馈 形成闩锁。 避免闩锁的 *** 就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。
2、igbt闩锁效应怎么解决
首先在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。其次芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。最后在VDD和外电源之间加限流电阻即可解决。igbt闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应。
3、什么是Latch-up效应,试分析CMOS电路产生Latch-up效应的原因,通常使用哪 .
防止电感元件的反向感应电动势或电网噪声窜入CMOS电路,引起CMOS电路瞬时击穿而触发闩锁效应.因此在电源线较长的地方,要注意电源退耦,此外还要注意对电火花箝位。 (2) 防止寄生晶体管的EB结正偏。输入信号不得超过电源电压,如果超过这个。
4、什么是倒掺杂?听说可以防止LATCH UP?
Latchup 就是闩锁效应. 由PNPN结构产生寄生的PNP管与NPN管, 这两个寄生管连在一起, 相互放大, 最后电流变得很大, 短时间产生很大得电流, 局部过热,烧毁器件. 具体分析比较复杂, 可以找专门得书看.Retrograded well，倒。
5、面试问题(五)
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的 *** 就是要减小。
6、Cu Ag Au是什么意思?
(4)闩锁效应(Latch-up)---寄生PNPN效应 由于MOS管存在寄生晶体管效应(CMOS管下面会构成多个晶体管,它们自身可能构成一个电路),若电路偶然出现使该寄生晶体管开通的条件,则寄生电路会极大影响正常电路的动作,使原MOS电路承受大于正常状态。
7、从layout角度讨论如何降低闩锁效应
具体 *** 如下：把mos管拉开一点，多打点cont。加guardring，保证版图符合DRC规则，多一点衬底接触。
8、cmos结构中是否存在寄生双极晶体管
存在。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，CMOS工艺存在许多内在的双极型晶体管，会有寄生双极晶体管。
9、电路板为什么不支持热插拔
因为热插拔设备之间可能存在较高电位差，如果不采取相应措施这种电位差将对设备上的IC 芯片构成严重危害，尤其是CMOS器件，有可能引发闩锁效应，所以为了避免这种情况的发生，最好的 *** 就是不支持。电路板(Printed Circuit Board。